IMBG65R039M1H CoolSiC? MOSFET 技術(shù)通過最大限度發(fā)揮碳化硅強(qiáng)大的物理特性，從而增強(qiáng)了器件性能、穩(wěn)健性和易用性等獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。IMBG65R039M1H CoolSiC? MOSFET 650 VSiC MOSFET 采用緊湊型 7 引腳 SMD 封裝，基于先進(jìn)的英飛凌碳化硅溝槽技術(shù)，適于大功率應(yīng)用。 該器件旨在提高系統(tǒng)性能，縮減尺寸，增強(qiáng)可靠性。

特征描述

低 Qrr 和 Qoss

低開關(guān)損耗

換向穩(wěn)健型快速體二極管

先進(jìn)溝槽技術(shù)帶來出色的柵極氧化物可靠性

采用 .XT 互連技術(shù)，實(shí)現(xiàn)卓越的熱性能

雪崩能力更強(qiáng)

SMD 封裝，可直接集成至 PCB

用于優(yōu)化開關(guān)性能的感測(cè)引腳

潛在應(yīng)用

服務(wù)器

電信

開關(guān)電源 (SMPS)

太陽能系統(tǒng)

儲(chǔ)能和電池系統(tǒng)

不間斷電源 (UPS)

電動(dòng)汽車充電

電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

• 1.平臺(tái)上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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  答：我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間，具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。

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  答：可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。