商品名稱：IGC54T65R3QE
數(shù)據(jù)手冊(cè)：
IGC54T65R3QE.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：Die
貨期：全新原裝
庫(kù)存數(shù)量：2000 件
IGC54T65R3QE 為 25kHz 至 70kHz 頻率提供了開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗之間的最佳折衷。其主要特點(diǎn)是具有類似 MOSFET 的關(guān)斷開關(guān)行為，從而降低了關(guān)斷損耗。
特點(diǎn)
VcEs= 650V
lcn= 100A
650V 溝槽和場(chǎng)截止技術(shù)
低 VcEsat
低 EMI
低關(guān)斷損耗
正溫度系數(shù)
應(yīng)用
不間斷電源
焊接轉(zhuǎn)換器
高開關(guān)頻率轉(zhuǎn)換器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ROHM
TO-247GE
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門，于1999年獨(dú)立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要，在這些應(yīng)用中，價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…
IPA60R199CP
IPA60R199CP 是 英飛凌的 N溝道功率MOSFET，屬于 CoolMOS? CP系列，采用 TO-220FP（PG-TO-220-FP）封裝，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、工業(yè)電力系統(tǒng)及汽車電子等應(yīng)用。
IRFB3306GPBF
IRFB3306GPBF是 英飛凌旗下 HEXFET 系列 的一款 N溝道功率MOSFET，采用 TO-220AB封裝，適用于高電流開關(guān)、電源轉(zhuǎn)換及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用。
BSZ520N15NS3G
BSZ520N15NS3G 是英飛凌的 N溝道功率MOSFET，屬于 OptiMOS? 3系列，采用 TDSON-8封裝（3.33.3mm），適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及汽車電子等應(yīng)用。
BSC052N08NS5
BSC052N08NS5 是一款 N溝道功率MOSFET，采用 TDSON-8封裝，屬于 OptiMOS? 5系列。
BTS724G
BTS724G 是英飛凌推出的四通道智能高端開關(guān)，采用PG-DSO-20封裝，專為汽車電子和工業(yè)控制應(yīng)用設(shè)計(jì)。電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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