商品名稱：IGQ100N120S7XKSA1
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：TO-247-3
貨期：全新原裝
庫存數量：2000 件
IGQ100N120S7XKSA1 是硬開關 1200 V、100 A 單通道 TRENCHSTOP? IGBT7 S7 分立器件，采用 TO-247 封裝，具有低 VCEsat，可在目標應用中實現極低的傳導損耗。
特性概述
極低的 Vcesat
良好的可控性
全額定自由輪轉二極管，軟度更高
對惡劣條件和 HV-H3TRB 有很好的適應性
8 μs 短路時間
非常緊湊的參數分布
最大工作溫度為 175 °C
優(yōu)點
IGBT 損耗最低，系統(tǒng)效率高，輸出功率更大
功率密度更高，無需重新設計散熱器
快速、簡便地替換前代 T2 產品組合
惡劣工作條件下器件可靠性高
易于設計，滿足 EMI 要求
應用
電機控制和驅動
不間斷電源 (UPS)
工業(yè)電源
太陽能
型號
品牌
封裝
數量
描述
ROHM
TO-247GE
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門，于1999年獨立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現代社會的三大科技挑…
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IPA60R199CP
IPA60R199CP 是 英飛凌的 N溝道功率MOSFET，屬于 CoolMOS? CP系列，采用 TO-220FP（PG-TO-220-FP）封裝，適用于高效率電源轉換、工業(yè)電力系統(tǒng)及汽車電子等應用。
IRFB3306GPBF
IRFB3306GPBF是 英飛凌旗下 HEXFET 系列 的一款 N溝道功率MOSFET，采用 TO-220AB封裝，適用于高電流開關、電源轉換及電機驅動等應用。
BSZ520N15NS3G
BSZ520N15NS3G 是英飛凌的 N溝道功率MOSFET，屬于 OptiMOS? 3系列，采用 TDSON-8封裝（3.33.3mm），適用于高效率電源轉換、電機驅動及汽車電子等應用。
BSC052N08NS5
BSC052N08NS5 是一款 N溝道功率MOSFET，采用 TDSON-8封裝，屬于 OptiMOS? 5系列。
BTS724G
BTS724G 是英飛凌推出的四通道智能高端開關，采用PG-DSO-20封裝，專為汽車電子和工業(yè)控制應用設計。電話咨詢：86-755-83294757
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