GS-065-008-1-L-TR是一款增強(qiáng)型硅基氮化鎵功率晶體管。氮化鎵的特性可實現(xiàn)高電流、高電壓擊穿和高開關(guān)頻率。GaN Systems 采用獲得專利的 Island Technology? 單元布局，可實現(xiàn)大電流芯片性能和產(chǎn)量。 GS-065-008-1-L-TR是一款底部冷卻型晶體管，采用 5×6 mm PDFN 封裝，具有較低的結(jié)殼熱阻。 

特性

650 V 增強(qiáng)型功率晶體管

850 V 瞬態(tài)漏極至源極電壓

底部冷卻、小型 5×6 毫米 PDFN 封裝

RDS(on) = 225 mΩ

IDSmax,DC= 8 A / IDSmax,Pulse= 13.5 A

超低 FOM

底部冷卻、小型 5×6 mm PDFN 封裝

簡單的柵極驅(qū)動要求（0 V 至 6 V）

瞬態(tài)容差柵極驅(qū)動（-20 V / +10 V）

開關(guān)頻率高（> 1 MHz）

快速可控的下降和上升時間

用于優(yōu)化柵極驅(qū)動的源檢測 (SS) 引腳

反向?qū)芰?/span>

零反向恢復(fù)損耗

符合 RoHS 3 (6+4) 標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用

電源適配器

LED 照明驅(qū)動器

快速電池充電

LLC 轉(zhuǎn)換器

功率因數(shù)校正

家電電機(jī)驅(qū)動器

無線電力傳輸

工業(yè)電源

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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