IPTC063N15NM5 是 OptiMOS? 5 N 溝道 150 V 表面貼裝功率晶體管。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 溝道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏極至源極電壓 (Vdss)：150 V

電流 - 25°C 時的連續(xù)漏極 (Id)：16.2A (Ta)，122A (Tc)

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，10V

Rds On（最大）@ Id，Vgs：6.3mOhm @ 50A，10V

柵極電荷（Qg）（最大值）@ Id：4.6V @ 163μA

柵極電荷 (Qg)（最大值）@ Vgs：63 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

輸入電容 (Ciss)（最大值）@ Vds：4800 pF @ 75 V

功率耗散（最大值）：3.8W (Ta)，214W (Tc)

工作溫度：-55°C ~ 175°C (TJ)

特性

N 溝道、正常電平

極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on)

卓越的熱阻

100% 通過雪崩測試

無鉛電鍍；符合 RoHS 規(guī)范

無鹵素，符合 IEC61249-2-21 標準

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