NXH010P120MNF1PTG是一款EliteSiC MOSFET模塊，在F1模塊中包含一個10mohm 1200C SiC MOSFET半橋和一個NTC熱敏電阻。

產(chǎn)品屬性

技術： 碳化硅（SiC）  

配置： 2 N 溝道（雙）共源  

漏源電壓（Vdss）： 1200V（1.2kV）  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：114A（Tc）  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 14 毫歐 @ 100A，20V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 4.3V @ 40mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 454nC @ 20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 4707pF @ 800V  

功率 - 最大值： 250W（Tj）  

工作溫度： -40°C ~ 150°C（TJ）  

安裝類型： 底座安裝  

封裝/外殼 ：模塊

典型應用

太陽能逆變器

不間斷電源

電動汽車充電站

工業(yè)電源

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