NVTFWS014P04M8LTAG 是 40V、13.8mOhm、49A 功率 MOSFET，單 P 溝道晶體管。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：P 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：11.3A（Ta），49A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：13.8 毫歐 @ 15A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 420μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：26.5 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1734 pF @ 20 V

功率耗散（最大值）：3.2W（Ta），61W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：8-WDFN（3.3x3.3）

封裝/外殼：8-PowerWDFN

產(chǎn)品特性

小尺寸（3.3 x 3.3 毫米），適合緊湊型設(shè)計

低 RDS(on)，將傳導(dǎo)損耗降至最低

低電容，將驅(qū)動器損耗降至最低

NVTFWS014P04M8L - 可潤濕側(cè)翼產(chǎn)品

通過 AEC-Q101 認(rèn)證并可執(zhí)行 PPAP

這些器件無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑，符合 RoHS 規(guī)范

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