商品名稱：A1F25M12W2-F1
數(shù)據(jù)手冊：
A1F25M12W2-F1.pdf
品牌：ST
年份：23+
封裝：MODULE
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
A1F25M12W2-F1該電源模塊采用帶 NTC 的 ACEPACK 1 模塊中的四組拓撲結(jié)構(gòu)，并集成了意法半導(dǎo)體最先進的碳化硅 MOSFET（以 gen.2 技術(shù)為代表）。這種模塊化解決方案可用于實現(xiàn)具有極高功率密度特點的復(fù)雜拓撲結(jié)構(gòu)，以滿足最高效率要求。
產(chǎn)品屬性
技術(shù)： 碳化硅（SiC）
配置： 4 個 N 通道
FET 功能： 碳化硅（SiC）
漏源電壓（Vdss）： 1200V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：50A
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： 34 毫歐 @ 50A，18V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 4.9V @ 5mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 147nC @ 18V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 3500pF @ 800V
工作溫度： 175°C（TJ）
安裝類型： 底座安裝
封裝/外殼： 模塊
供應(yīng)商器件封裝： ACEPACK 1
應(yīng)用
? 直流/直流轉(zhuǎn)換器
? 高頻開關(guān)應(yīng)用
? 焊接
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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L6482HTR
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L99DZ100GPTR
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STM32F301C6T6
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