APTCV60TLM99T3G具有 Q2、Q3 溝槽式 + 場截止 IGBT3，低壓降和低尾流。開關(guān)頻率高達(dá) 20 kHz，低漏電流，額定 RBSOA 和 SCSOA。Q1、Q4 超級結(jié) MOSFET，超低 RDSon，低米勒電容，超低柵極電荷，額定雪崩能量，非常堅固耐用。開爾文發(fā)射極，易于驅(qū)動，雜散電感極低，高度集成，用于溫度監(jiān)測的內(nèi)部熱敏電阻。具有穩(wěn)定的溫度特性，非常堅固，可直接安裝到散熱器上（隔離封裝），低結(jié)點到外殼熱阻，外形小巧，符合 RoHS 規(guī)范。

產(chǎn)品屬性

IGBT 類型：溝槽型場截止

配置：三級反相器 - IGBT，F(xiàn)ET

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：50 A

功率 - 最大值：90 W

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，30A

電流 - 集電極截止（最大值）：250 μA

不同 Vce 時輸入電容 (Cies)：1.6 nF @ 25 V

輸入：標(biāo)準(zhǔn)

NTC 熱敏電阻：是

工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：SP3

供應(yīng)商器件封裝：SP3

應(yīng)用

● 太陽能轉(zhuǎn)換器

● 不間斷電源

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