商品名稱：WAS530M12BM3
數(shù)據(jù)手冊：
WAS530M12BM3.pdf
品牌：Wolfspeed
年份：23+
封裝：Module
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
WAS530M12BM3 Wolfspeed 62mm全碳化硅（SiC）半橋模塊將碳化硅的系統(tǒng)優(yōu)勢與穩(wěn)健的低電感布局相結(jié)合。得益于SiC的低開關(guān)和導(dǎo)通損耗，半橋模塊提高了系統(tǒng)效率。這些電源模塊采用低電感內(nèi)部布局，可最大限度地利用電壓，并最大限度地減少過沖和振鈴。該半橋模塊配有用于導(dǎo)熱的銅基板，其氮化鋁和氮化硅絕緣體可最大限度地降低熱阻。
產(chǎn)品屬性
技術(shù)：碳化硅（SiC）
配置：2 個 N 通道（半橋）
漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：630A（Tc）
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：3.47 毫歐 @ 530A，15V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 127mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：1362nC @ 15V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：38900pF @ 800V
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：底座安裝
封裝/外殼：模塊
應(yīng)用
● 感應(yīng)加熱
● 電機驅(qū)動
● 可再生能源
● 鐵路輔助和牽引
● 電動汽車快速充電
● UPS 和 SMPS
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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Wolfspeed（紐交所代碼：NYSE）在全球采用碳化硅和 GaN 技術(shù)方面處于市場領(lǐng)先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開關(guān)器件和射頻器件，涵蓋電動汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲以及航空航天和國…
C3M0060065D
C3M0045065K 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0060065D 的特性第三代碳化硅 MOSFET 技術(shù)高阻塞電壓，低導(dǎo)通電阻高速開關(guān)，低電容快速本征二極管，低反向恢復(fù) (Qrr)無鹵素，符合 RoHS 規(guī)范C3M0060065D 的優(yōu)點更高的系統(tǒng)效率降低冷卻要求功率密度更高提高…
C3M0045065K
C3M0045065K 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0045065K 的特性C3MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)優(yōu)化封裝，具有獨立的驅(qū)動源引腳漏極和源極之間的爬電距離為 8 毫米高阻斷電壓，低導(dǎo)通電阻高速開關(guān)，低電容快速本征二極管，低反向恢復(fù) (Qrr)無鹵素，符合…
C3M0021120D
C3M0021120D 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0021120D 的特點第三代碳化硅 MOSFET 技術(shù)高阻斷電壓，低導(dǎo)通電阻高速開關(guān)，低電容具有低反向恢復(fù) (Qrr) 的快速本征二極管無鹵素，符合 RoHS 規(guī)范C3M0021120D 的優(yōu)點降低開關(guān)損耗，最大限度地減少柵極振鈴…
E4M0060075K1
E4M0060075K1 是汽車 N 溝道增強模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0060075K1 的特點優(yōu)化封裝，具有獨立的驅(qū)動源引腳高阻斷電壓，低導(dǎo)通電阻高速開關(guān)，低電容本征二極管速度快，反向恢復(fù) (Qrr) 低無鹵素，符合 RoHS 規(guī)范通過汽車認證 (AEC-Q101)，符合 PPAP 要求E…
E4M0045075K1
E4M0045075K1 是汽車 N 溝道增強模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0045075K1 的特點優(yōu)化封裝，具有獨立的驅(qū)動源引腳高阻斷電壓，低導(dǎo)通電阻高速開關(guān)，低電容本征二極管速度快，反向恢復(fù) (Qrr) 低無鹵素，符合 RoHS 規(guī)范通過汽車認證 (AEC-Q101)，符合 PPAP 要求E…
HAS350M12BM3
HAS350M12BM3是一款1200 V、4 mΩ、62 mm、半橋、工業(yè)級 HV-H3TRB 認證、CTI 600、SiC 功率模塊。Wolfspeed HAS模塊非常適用于高頻 工業(yè)應(yīng)用，如感應(yīng)加熱、軌道/牽引、電機驅(qū)動器和電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施。HAS350M12BM3具有以下特性：漏源電壓（Vdss）：1200V25C 時電流 -…電話咨詢：86-755-83294757
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