Micron 16Gb移動低功耗SDRAM（LPDDR4x）是一款高速CMOS動態(tài)隨機存取存儲設備。該8組器件內(nèi)部配置有16個I/O。這些內(nèi)存優(yōu)化用于解決電池供電應用中的功耗問題。與DDR4相比，它的峰值帶寬快33%。與標準DRAM相比，在待機模式下的功耗降低至1/5。

器件：MT53E1G16D1FW-046 WT:A

產(chǎn)品種類：動態(tài)隨機存取存儲器

存儲器類型：易失

存儲器格式：DRAM

技術：SDRAM - 移動 LPDDR4X

存儲容量：16Gb

存儲器組織：1G x 16

存儲器接口：并聯(lián)

時鐘頻率：2.133 GHz

寫周期時間 - 字，頁：18ns

訪問時間：3.5 ns

電壓 - 供電：1.06V ~ 1.17V

工作溫度：-30°C ~ 85°C（TC）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：200-TFBGA

供應商器件封裝：200-TFBGA（10x14.5）

典型應用包括汽車、工業(yè)和消費電子產(chǎn)品。

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