RGW40TS65GC11 650V場終止溝槽型IGBT采用小型封裝，具有低集電極-發(fā)射極飽和電壓。該IGBT具有高速開關(guān)、低開關(guān)損耗和內(nèi)置極快軟恢復(fù)FRD，因此非常適合用于太陽能逆變器、UPS、焊接、IH和PFC應(yīng)用。

規(guī)格

IGBT 類型：溝槽型場截止

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：40 A

電流 - 集電極脈沖 (Icm)：80 A

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，20A

功率 - 最大值：136 W

開關(guān)能量：330μJ（開），300μJ（關(guān)）

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：59 nC

25°C 時 Td（開/關(guān)）值：33ns/76ns

測試條件：400V，20A，10 歐姆，15V

工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-247-3

供應(yīng)商器件封裝：TO-247N

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