IPP60R022S7可為低頻開關(guān)應(yīng)用提供最出色的性能。CoolMOS?S7 擁有 HVSJMOSFET 中最低的 Rdson 值，顯著提高了能效。CoolMOS?S7 針對 "靜態(tài)開關(guān) "和高電流應(yīng)用進行了優(yōu)化。它不僅適用于固態(tài)畦式斷路器設(shè)計，也適用于 SMPS 和逆變器拓撲結(jié)構(gòu)中的線路整流。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：23A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：12V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：22 毫歐 @ 23A，12V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 1.44mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：150 nC @ 12 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：5639 pF @ 300 V

功率耗散（最大值）：390W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO220-3-1

封裝/外殼：TO-220-3

應(yīng)用

● 固態(tài)繼電器和斷路器

● 大功率/高性能應(yīng)用中的線路整定，如計算機、電信、UPS 和太陽能

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