商品名稱：RGT50TS65DGC13
數(shù)據(jù)手冊：
RGT50TS65DGC13.pdf
品牌：ROHM
年份：23+
封裝：TO-247-3
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
RGT50TS65DGC13 場截止溝道式 IGBT 是一種節(jié)能、高效的 IGBT，廣泛應(yīng)用于高壓和大電流場合。
產(chǎn)品屬性
制造商: ROHM Semiconductor
產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管
技術(shù): Si
封裝 / 箱體: TO-247-3
安裝風(fēng)格: Through Hole
配置: Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 650 V
集電極—射極飽和電壓: 1.65 V
柵極/發(fā)射極最大電壓: - 30 V, 30 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 48 A
Pd-功率耗散: 174 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 175 C
集電極最大連續(xù)電流 Ic: 48 A
柵極—射極漏泄電流: 200 nA
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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羅姆(ROHM)株式會社是全球知名的半導(dǎo)體廠商之一，總部所在地設(shè)在日本京都市，ROHM設(shè)計和制造半導(dǎo)體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長的無線、計算機、汽車和消費電子市場均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設(shè)備和裝置都采用了 ROHM 產(chǎn)品。
RGE60TS65DGC13
RGE60TS65DGC13場截止溝道IGBT具有低集電極-發(fā)射極飽和電壓、低開關(guān)損耗和短路耐受時間（5μs）的特點。 該IGBT可確保在高壓力條件下可靠運行。內(nèi)置的快速軟恢復(fù)FRD提高了效率，而無鉛電鍍則確保符合RoHS規(guī)范。技術(shù)規(guī)格RGE60TS65DGC13的主要規(guī)格包括：IGBT 類型：溝槽型場…
SCT4062KWATL
SCT4062KWATL 是 1200 V 24A N 通道 SiC 功率 MOSFET 晶體管。SCT4062KWATL 的特性低電阻快速切換速度快速逆向恢復(fù)易于并行易于駕駛無鉛鉛鉛電鍍；符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)寬爬行距離 = min.4.7 mmSCT4062KWATL 的應(yīng)用太陽能逆變器直流 / 直流變換器開關(guān)模式電源感應(yīng)加熱電機驅(qū)動
SCT4045DWATL
SCT4045DWATL 是 750 V 31A N 通道 SiC 功率 MOSFET 晶體管。SCT4045DWATL 的特性低電阻快速切換速度快速逆向恢復(fù)易于并行易于駕駛無鉛鉛鉛電鍍；符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)寬爬行距離 = min.4.7 mmSCT4045DWATL 的應(yīng)用太陽能逆變器直流 / 直流變換器開關(guān)模式電源感應(yīng)加熱電機驅(qū)動
SCT4045DWAHRTL
SCT4045DWAHRTL 是 750 V 31A 汽車 N 通道 SiC 電源 MOSFET 晶體管。SCT4045DWAHRTL 的特性符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)低電阻快速切換速度快速逆向恢復(fù)易于并行易于駕駛無鉛鉛鉛電鍍；符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)寬爬行距離 = min.4.7 mmSCT4045DWAHRTL 的應(yīng)用汽車開關(guān)模式電源
SCT4026DWATL
SCT4026DWATL 是 750V 51A N 通道 SiC 功率 MOSFET 晶體管。SCT4026DWATL 的特性低電阻快速切換速度快速逆向恢復(fù)易于并行易于駕駛無鉛鉛鉛電鍍；符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)寬爬行距離 = min.4.7 mmSCT4026DWATL 的應(yīng)用太陽能逆變器直流 / 直流變換器開關(guān)模式電源感應(yīng)加熱電機驅(qū)動
SCT2H12NZGC11
SCT2H12NZGC11 是 1700V 3.7A N 通道 SiC 功率 MOSFET 晶體管。SCT2H12NZGC11 的特性低電阻快速切換速度長爬行距離易于駕駛無鉛鉛鉛電鍍；符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)SCT2H12NZGC11 的應(yīng)用輔助電源開關(guān)模式電源電話咨詢：86-755-83294757
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