NVHL160N120SC1 1200V EliteSiC（碳化硅）MOSFET采用全新技術(shù)，與硅器件相比，具有更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。

產(chǎn)品屬性

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： SiCFET（碳化硅）  

漏源電壓（Vdss）： 1200 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 17A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 20V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： 224毫歐 @ 12A，20V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 4，3V @ 2，5mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 34 nC @ 20 V  

Vgs（最大值）： +25V，-15V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 665 pF @ 800 V  

功率耗散（最大值）： 119W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型： 通孔  

供應(yīng)商器件封裝： TO-247-3  

封裝/外殼： TO-247-3

應(yīng)用

直流-直流電源

板載充電

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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