NTMFS5C645NT1G功率MOSFET是一款40V單N通道功率MOSFET，具有SO-8FL邏輯電平。具有低導(dǎo)通電阻，可最大限度地減少導(dǎo)通損耗。該MOSFET具有低柵極電荷和電容，可降低驅(qū)動(dòng)器損耗。NTMFS5功率MOSFET采用緊湊的5mm x 6mm尺寸，非常適合用于網(wǎng)絡(luò)通信、電信、服務(wù)器、交流適配器和手持式電動(dòng)工具。

產(chǎn)品屬性

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 60 V  

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 20A（Ta），94A（Tc）  

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V  

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）： 4.5 毫歐 @ 50A，10V  

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）： 4V @ 250μA  

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）： 20.4 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）： 1510 pF @ 25 V  

功率耗散（最大值）： 3.7W（Ta），80W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）  

封裝/外殼 ：8-PowerTDFN，5 引線

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