NVMTS0D4N04CLTXG 40V功率MOSFET符合AEC-Q101標準并支持PPAP，因此非常適合用于汽車應用。這款單N通道功率MOSFET具有較高的散熱性能、低導通電阻、低柵極電荷和低電容，可最大限度降低導通損耗。采用帶可濕性側翼的緊湊型8mm x 8mm扁平DFNW封裝，可進行增強型光學檢測。

產品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：553.8A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：0.4 毫歐 @ 50A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：163 nC @ 4.5 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）；20600 pF @ 20 V

功率耗散（最大值）：5W（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：8-DFNW（8.3x8.4）

封裝/外殼：8-PowerTDFN

應用

● 電動工具、電池供電真空吸塵器

● 無人飛行器 (UAV) 和無人機

● 貨物搬運

● BMS/存儲

● 家居自動化

● 汽車電機控制

● 負載開關

● 開關電源

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