NVTFS5C658NLWFTAG符合AEC?Q101標準，可為汽車應用提供緊湊高效的解決方案。NVMx和NVTx功率MOSFET具有低RDS(on)，可最大限度地降低導通損耗，另外還具有低QG和電容，可將驅(qū)動器損耗降到最低。這些單N通道MOSFET采用緊湊型SO-8FL和WDFN8封裝，無鉛、無鹵/無BFR，符合RoHS指令。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：109A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：5 毫歐 @ 50A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：12 nC @ 4.5 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1935 pF @ 25 V

功率耗散（最大值）：114W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：8-WDFN（3.3x3.3）

封裝/外殼：8-PowerWDFN

應用

● 電磁鐵驅(qū)動器

● ABS

● 燃油噴射

● 負載開關

● ECU

● 底盤

● 電機控制

● 雨刷

● 風扇

● 座椅

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