NTMYS3D3N06CLTWG N溝道MV MOSFET是采用先進的功率溝槽工藝（結合屏蔽柵極技術）生產(chǎn)的30V、40V和60V MOSFET。該工藝經(jīng)過優(yōu)化，可最大限度地降低導通電阻，另外還采用出色的軟體二極管，可保持卓越的開關性能。onsemi Trench6 N溝道MV MOSFET采用各種小尺寸封裝選項，可提高設計靈活性。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：26A（Ta），133A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：3 毫歐 @ 50A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：40.7 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2880 pF @ 25 V

功率耗散（最大值）：3.9W（Ta），100W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：LFPAK4（5x6）

封裝/外殼：SOT-1023，4-LFPAK

應用

● ORing

● 電機驅(qū)動器

● 直流-直流轉換器

● 功率負載開關

● 電池管理

● 高端計算

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