商品名稱：NCV57091ADWR2G
數據手冊：
NCV57091ADWR2G.pdf
品牌：ON
年份：23+
封裝：8-SOIC
貨期：全新原裝
庫存數量：2000 件
NCV57091ADWR2G 是具有 5 kVrms 內部電隔離的大電流單通道 IGBT/MOSFET 柵極驅動器，專為大功率應用中的高系統效率和可靠性而設計。
特點
高峰值輸出電流（+6.5 A/-6.5 A）
鉗位壓降低，無需使用負電源來防止柵極誤導通（A/D/F 版本）
精確匹配的短傳播延遲
短路期間的 IGBT/MOSFET 柵極鉗位
IGBT/MOSFET 柵極主動下拉
嚴格的 UVLO 閾值實現偏置靈活性
寬偏置電壓范圍，包括負 VEE2（B 版）
3.3 V、5 V 和 15 V 邏輯輸入
5 kVrms 電隔離
高瞬態(tài)抗擾度
高電磁抗擾度
NCV 前綴，適用于汽車和其他需要獨特的現場和控制變更要求的應用；通過 AEC-Q100 認證并可實現 PPAP
這些器件無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑，符合 RoHS 規(guī)范
應用
電機控制
不間斷電源 (UPS)
汽車應用
工業(yè)電源
太陽能逆變器
型號
品牌
封裝
數量
描述
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
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UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝，具有超…
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UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢：86-755-83294757
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