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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號(hào)

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫存

購買數(shù)量

單價(jià)

操作

FF08MR12W1MA1B11ABPSA1

產(chǎn)品說明：EasyPACK? CoolSiC? 汽車 MOSFET 1200V 半橋模塊

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FF08MR12W1MA1B11

產(chǎn)品說明：EasyPACK? CoolSiC? 汽車 MOSFET 1200V 半橋模塊

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FF400R07A01E3S6XKSA2

產(chǎn)品說明：650V 400A 雙 汽車合格 IGBT模塊

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FF400R07A01E3S6

產(chǎn)品說明：650V 400A 雙 汽車合格 IGBT模塊

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FS380R12A6T4LBBPSA1

產(chǎn)品說明：IGBT 模塊 - 3 個(gè)獨(dú)立式 1200V 380A 底座安裝 AG-HYBRIDD-2

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FS380R12A6T4LB

產(chǎn)品說明：IGBT 模塊 - 3 個(gè)獨(dú)立式 1200V 380A 底座安裝 AG-HYBRIDD-2

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FS380R12A6T4BBPSA1

產(chǎn)品說明：IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 三相反相器 1200V 380A 870W 底座安裝 AG-HYBRIDD-1

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FS380R12A6T4B

產(chǎn)品說明：IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 三相反相器 1200V 380A 870W 底座安裝 AG-HYBRIDD-1

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FF800R12KE7HPSA1

產(chǎn)品說明：IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 半橋 1200 V 800 A 底座安裝 AG-62MM

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FF800R12KE7

產(chǎn)品說明：IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 半橋 1200 V 800 A 底座安裝 AG-62MM

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FF900R12ME7PB11BPSA1

產(chǎn)品說明：IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 半橋 1200 V 900 A 底座安裝 AG-ECONOD

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FF900R12ME7PB11

產(chǎn)品說明：IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 半橋 1200 V 900 A 底座安裝 AG-ECONOD

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBF170R1K0M1XTMA1

產(chǎn)品說明：采用TO-263-7封裝的1700V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET

封裝：TO-263-7
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBF170R1K0M1

產(chǎn)品說明：采用TO-263-7封裝的1700V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET

封裝：TO-263-7
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R107M1HXKSA1

產(chǎn)品說明：650V CoolSiC? MOSFET – 碳化硅（SiC）MOSFET 采用 TO247 3 引腳封裝

封裝：TO-247-3
10起
240
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R107M1H

產(chǎn)品說明：650V CoolSiC? MOSFET – 碳化硅（SiC）MOSFET 采用 TO247 3 引腳封裝

封裝：TO-247-3
10起
240
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
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